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业界Z小尺寸的FRAM器件---富士通半导体成功推出
点击次数:833 发布时间:2015-07-18

     近日富士通成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP),使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm,一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸zui小的1 Mb FRAM器件。MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择,除了可让终端应用产品的整体体积变小之外,更可让整个系统在写入数据时将功耗降至zui低,以延长系统工作时间。智能可穿戴设备是当下的市场热点,并以惊人的速度快速渗透和发展。智能可穿戴设备应用涵盖范围广阔且种类繁多,包括智能眼镜、头戴式显示器、隐蔽式助听器和智能脉搏计等,以及可记录卡路里消耗量和运算数据的活动记录器如智能手环等。而在这些众多智能可穿戴设备当中,远传磁翻板液位计持续的实时记录数据亦是必备的。

    与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存(Flash)等相比,富士通FRAM可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期,它的写入速度为前者的1000倍以上,而功耗仅为其1/1000-1/100000,FRAM的使用寿命更是超过EEPROM和Flash10000倍以上,是实时存储数据的理想选择。为了在更广泛的应用中进一步扩大FRAM快速读写、高可靠性和低功耗的特点,富士通半导体在为1MB FRAM器件采用SOP封装之后,更推出了其全新WL-CSP封装版本(见图一)。在采用WL-CSP封装后,MB85RS1MT的体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm,比SOP封装体积小了95%(见图二)---其面积比SOP封装小了77%(见图三),其厚度仅相当于厚度的一半(见图四)。低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性内存,FRAM写入数据的速度也比较快,因此可在写入数据时大幅降低功耗(如图五)。基于此原因,为了实时记录而需经常性写入数据的穿戴式装置在采用此FRAM后,可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。

 

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