近日富士通成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装（WL-CSP），使得其体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸小的1 Mb FRAM器件。MB85RS1MT为智能可穿戴设备提供了理想的内存器件的选择，除了可让终端应用产品的整体体积变小之外，更可让整个系统在写入数据时将功耗降至低，以延长系统工作时间。智能可穿戴设备是当下的市场热点，并以惊人的速度快速渗透和发展。智能可穿戴设备应用涵盖范围广阔且种类繁多，包括智能眼镜、头戴式显示器、隐蔽式助听器和智能脉搏计等，以及可记录卡路里消耗量和运算数据的活动记录器如智能手环等。而在这些众多智能可穿戴设备当中，远传磁翻板液位计持续的实时记录数据亦是*的。

    与一般的非挥发性内存如EEPROM和闪存（Flash）等相比，富士通FRAM可保证有一万亿次写入/擦除 (write/erase) 周期，它的写入速度为前者的1000倍以上，而功耗仅为其1/1000-1/100000，FRAM的使用寿命更是超过EEPROM和Flash10000倍以上，是实时存储数据的理想选择。为了在更广泛的应用中进一步扩大FRAM快速读写、高可靠性和低功耗的特点，富士通半导体在为1MB FRAM器件采用SOP封装之后，更推出了其全新WL-CSP封装版本（见图一）。在采用WL-CSP封装后，MB85RS1MT的体积仅为3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封装体积小了95%（见图二）---其面积比SOP封装小了77%（见图三），其厚度仅相当于厚度的一半（见图四）。低功耗作业是FRAM众多优点之一。相较于一般使用的EEPROM非挥发性内存，FRAM写入数据的速度也比较快，因此可在写入数据时大幅降低功耗（如图五）。基于此原因，为了实时记录而需经常性写入数据的穿戴式装置在采用此FRAM后，可拥有更佳电池续航力和更小体积的优势。